晶体管的输出特性，温度升高，晶体管输出特性曲线上升，晶体管输出特性曲线上移；因为温度升高，晶体管的输出电流会增大，所以晶体管的输出特性曲线是“向上”的；晶体管是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。作为一个可变电流开关，晶体管可以根据输入电压控制输出电流，晶体管的主要特点是具有电流放大功能。
你的理解也是正确的，但在你描述的电路中是正确的，而且是和RC/VCC结合后的效果。输出特性曲线没有表达的是什么，例如二极管的正向伏安特性曲线。如果你还串联了RC和VCC，那么随着I的增大，Rc电压增大，VCC不变，那么可以得出二极管两端电压在减小，这与二极管伏安特性曲线中描述的V增大是矛盾的。所以只看器件，不要形成电路。
我非常了解你的问题。和我之前刚学的一模一样。你真的有独立思考的能力。首先，你的第一个问题是Uce增加ic不变。从晶体管本身的特性来说，Uce这么大，可以说可以收集大部分的自由电子，所以ic当然是不变的，但是相反从电路来说，我问你，你否认Uce增加了收集电子的能力，而不是增加了吗？当然不是。我就问你uce是怎么发变化的，不仅仅是因为ic变了。那我就问你ic是怎么变的，因为ib变了。
三极管的输入输出特性是指输入电压与输出电流的关系，常用的表示方法是通过绘制输入输出特性曲线来表示。三极管的输入输出特性曲线通常分为以下几个区域:1。截止区:当输入电压小于截止电压时，三极管处于截止状态，输出电流为0，输入输出特性曲线上对应的点为截止点。2.放大区:当输入电压逐渐增大时，晶体管逐渐进入放大区，输出电流随着输入电压的增大而增大。输出电流的增加程度取决于晶体管的放大倍数，输入输出特性曲线上对应的点就是放大点。
晶体管的导通状态与输入输出特性曲线上的区域有关。当晶体管处于放大区时，通常认为是导通状态，因为此时输出电流随着输入电压的增大而增大，晶体管可以承担放大功能。当晶体管处于饱和区时，虽然输出电流基本保持不变，但仍可认为是开路状态，因为此时晶体管可以承担开关功能。
电路中三极管的输出特性也很简单，看看就明白了。这是基础，建议掌握。三极管的输入特性:这条曲线表示E和C之间的电压Uec保持不变时，输入电流(即基极电流Ib)与输入电压(即基极和发射极之间的电压Ueb)的关系，如下图所示:从曲线可以看出，当UEC为0时，晶体管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性相同，因为此时发射极结和电极结都是正向偏置的，三极管相当于两个PN结。
当Uec增加到1伏时，它将继续增加。因为大部分发射极电流已经流入集电极，Ib将不再下降，所以图中的曲线②和③基本重合，通常UEC > 1伏只用一条线表示。从图中可以看出，三极管正常工作时，Ueb很小，只有零点几伏。如果Ueb过大，Ib会急剧增加，晶体管会损坏。一般硅管的发射极结电压Ube在0.7伏左右，锗管的发射极结电压Ueb在0.3伏左右。
晶体管的主要特点是电流放大。根据有关资料，晶体管是固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应晶体管、晶闸管等。有时称为双极器件)，它具有许多功能，如检测、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。作为一个可变电流开关，晶体管可以根据输入电压控制输出电流。与普通的机械开关(如继电器、开关)不同，晶体管是用电信号来控制自身的开闭，所以开关速度可以很快，实验室里的开关速度可以达到100GHz以上。
BJT和FET的输出伏安特性曲线的区域名称有些不同:(1)BJT的输出特性曲线分为截止区、放大区和饱和区；放大区域是电流饱和的区域。(2)2)FET的输出特性曲线分为截止区、饱和区和线性区(包括一个非线性区)；这里的饱和区相当于BJT的放大区。放大面积。条件:发射极结正偏，集电极结反偏。起到放大作用；饱和区域。条件:发射极结正偏置，集电极结正偏置。
随着温度的升高，晶体管的输出特性曲线上移；因为温度升高，晶体管的输出电流会增大，所以晶体管的输出特性曲线是“向上”的；晶体管是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。作为一个可变电流开关，晶体管可以根据输入电压控制输出电流。
7、 晶体管的输出特性曲线分为哪三个区截止区、放大区和饱和区。1.截止区:指晶体管输出特性曲线中晶体管输入电流为0对应的曲线以下的区域，2.放大面积:指晶体管输出特性曲线中每条曲线的近似水平部分的集合所对应的面积。3.饱和区:指集电极结和发射极结均为正偏置，集电极电流不受基极电流控制的区域。
